存儲(chǔ)芯片漲價(jià)潮愈演愈烈，被日美韓壟斷的儲(chǔ)存芯片，國產(chǎn)貨何時(shí)壓得住場(chǎng)

存儲(chǔ)芯片漲價(jià)潮大有愈演愈烈的態(tài)勢(shì)。多項(xiàng)存儲(chǔ)芯片都已經(jīng)/即將漲價(jià)，包括DRAM及非易失性存儲(chǔ)芯片NAND閃存、EEPROM。

1、NAND閃存方面，漲價(jià)潮源頭在于西部數(shù)據(jù)與鎧俠合資廠污染事件。

    美光、西部數(shù)據(jù)兩家存儲(chǔ)龍頭已雙雙宣布，全線漲價(jià)；群聯(lián)也表示將跟進(jìn)漲價(jià)。值得注意的是，美光并未受污染事件波及，但公司卻是目前已知價(jià)格漲幅最高的廠商。業(yè)界人士認(rèn)為，由于合約價(jià)是每月商議，美光本次漲價(jià)幾乎是實(shí)時(shí)生效，預(yù)計(jì)本月初就將全面反映。本輪漲價(jià)潮中，NAND閃存各型號(hào)均已提價(jià)。其中，64Gb 8Gx8 MLC閃存合約漲幅最大，且價(jià)格已創(chuàng)下三年來新高。還有業(yè)內(nèi)人士表示，短期來看，新一輪漲價(jià)潮才剛剛開始，持續(xù)時(shí)間至少三個(gè)月。聚辰股份、普冉股份雙雙公布調(diào)研紀(jì)要，拜訪機(jī)構(gòu)均超過百家，且調(diào)研日期均為業(yè)績(jī)快報(bào)公布后的次交易日。其中，聚辰股份去年扣非凈利潤同比增長(zhǎng)超40%，增長(zhǎng)主因之一為“適當(dāng)調(diào)整產(chǎn)品價(jià)格體系”；普冉股份已從今年1月起，調(diào)漲攝像頭模組系列EEPROM產(chǎn)品價(jià)格，同時(shí)對(duì)EEPROM價(jià)格保持謹(jǐn)慎偏樂觀的態(tài)度。

    DRAM價(jià)格也在“蠢蠢欲動(dòng)”。2月利基型DRAM合約價(jià)環(huán)比上漲2%-5％，其中，關(guān)鍵的x16規(guī)格4Gb DDR3顆粒、x16規(guī)模2Gb DDR3顆粒合約價(jià)均創(chuàng)下近5個(gè)月來新高。臺(tái)灣工商時(shí)報(bào)指出，由于供給吃緊，利基型DRAM合約價(jià)漲勢(shì)有望延續(xù)到下半年。值得注意的是，今早半導(dǎo)體板塊震蕩走強(qiáng)，其中兆易創(chuàng)新、北京君正等多只存儲(chǔ)芯片個(gè)股盤中漲幅超過5%。

2、車規(guī)級(jí)應(yīng)用成共同拓展方向

    隨著價(jià)格一同攀升的，還有汽車智能化、電動(dòng)化帶來的存儲(chǔ)需求。A股汽車存儲(chǔ)龍頭北京君正預(yù)計(jì)去年實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤8.08-9.84億元，同比增長(zhǎng)1004%-1245%；Q4單季度實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤1.7-3.5億元，環(huán)比增長(zhǎng)-38.4%-24.6%，同比增長(zhǎng)240.3%-587.5%。業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的一大驅(qū)動(dòng)力便是汽車終端需求拉動(dòng)存儲(chǔ)芯片放量，汽車電子領(lǐng)域收入持續(xù)增長(zhǎng)。另外，多家企業(yè)已展開相應(yīng)布局。東芯股份日前接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)透露，在車規(guī)級(jí)產(chǎn)品方面，公司在NAND、NOR、LPDDR產(chǎn)品上均有布局。車規(guī)的驗(yàn)證過程比較長(zhǎng)，從產(chǎn)品端已經(jīng)開始做嘗試。另外，公司也在推進(jìn)與車規(guī)平臺(tái)企業(yè)及車規(guī)電子集成商合作，建立了定期工作機(jī)制。目前車規(guī)類產(chǎn)品順利推進(jìn)。目前已可為客戶提供車規(guī)NAND和NOR樣品。

3、中國廠商加速擴(kuò)產(chǎn)

    存儲(chǔ)芯片應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，常見的電子設(shè)備基本都需使用存儲(chǔ)芯片，從存儲(chǔ)芯片細(xì)分產(chǎn)品來看，DRAM和NAND Flash占據(jù)了存儲(chǔ)芯片95%以上的市場(chǎng)份額。中國是全球存儲(chǔ)芯片最大市場(chǎng)。據(jù)報(bào)道，中國一年3000億美元的芯片進(jìn)口額中，有超過800億美元為采購內(nèi)存芯片，包括DRAM芯片和NAND Flash芯片。在國際競(jìng)爭(zhēng)格局上，存儲(chǔ)芯片長(zhǎng)期被韓、日、美等國企業(yè)壟斷。其中在DRAM領(lǐng)域，三星、SK海力士及美光占據(jù)主導(dǎo)地位。2021年第三季度全球DRAM市占率方面，三星以44%位居第一；SK海力士在出貨減少的情況下略微縮減至27.2%，而美光小幅上升至22.9%，上述三大巨頭的市場(chǎng)占有率總計(jì)超過94%。NAND Flash領(lǐng)域，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、海力士、英特爾為行業(yè)龍頭。據(jù)民生證券7月統(tǒng)計(jì)，中國是全球第二大NAND Flash市場(chǎng)，占比超過31%，但本土供應(yīng)市占率不足1%。11月18日，時(shí)創(chuàng)意董事長(zhǎng)倪黃忠在接受時(shí)代周報(bào)記者采訪時(shí)表示，中國存儲(chǔ)芯片行業(yè)起步較晚，此前，在DRAM和NAND Flash領(lǐng)域均沒有國內(nèi)廠商，近年來，以長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)為代表的國內(nèi)龍頭廠商開始崛起。“作為閃存行業(yè)的新人，長(zhǎng)江存儲(chǔ)用三年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越?！遍L(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售高級(jí)副總裁龔翊表示，去年4月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布128層QLC 3D NAND 閃存研發(fā)成功。中信證券在研報(bào)中稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是國內(nèi)3D NAND Flash 存儲(chǔ)器頭部廠商，一期項(xiàng)目于2019年產(chǎn)能達(dá)到2萬片/月，2020年擴(kuò)產(chǎn)至5萬片/月以上水平，預(yù)計(jì)一期項(xiàng)目未來將達(dá)到10萬片/月產(chǎn)能，另外二期土建已于2020年6月開工，兩期產(chǎn)能規(guī)劃共30萬片/月。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)作為國內(nèi)DRAM存儲(chǔ)器龍頭，三期總產(chǎn)能規(guī)劃37.5萬片/月。中信證券預(yù)計(jì)，其產(chǎn)能將從2021年初4萬片/月擴(kuò)張至2022-2023年12.5萬片/月，同時(shí)2022-2023年有望啟動(dòng)二期建設(shè)（12.5萬片/月）。

4、國產(chǎn)芯片向高端進(jìn)階

    對(duì)存儲(chǔ)廠商而言，跑得夠不夠快是一個(gè)需要持續(xù)思考的問題。

    以DRAM為例，由于DRAM的制程微縮已經(jīng)逐漸面臨物理極限，在20nm制程以后，除了美光（Micron）1αnm仍有近30%的單晶圓位元增長(zhǎng)外，其他從1Xnm轉(zhuǎn)至1Ynm、或者1Ynm轉(zhuǎn)至1Znm制程，增長(zhǎng)率已收縮至15%以內(nèi)。

    華存電子技術(shù)總工程師魏智汎告訴時(shí)代周報(bào)記者，近幾年，國內(nèi)外企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)主控芯片市場(chǎng)發(fā)展迅速，競(jìng)爭(zhēng)激烈，華存電子不僅要面對(duì)英特爾、三星、美光等閃存原廠，還要面對(duì)美滿電子、Microsemi等傳統(tǒng)主控大廠的競(jìng)爭(zhēng)。國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片必須從低端向高端進(jìn)階。東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳磊表示，作為本土芯片供應(yīng)商，東芯半導(dǎo)體目前40%以上的員工都是研發(fā)工程師，通過自主的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，以及與國內(nèi)晶圓廠和封裝測(cè)試廠的合作，已經(jīng)打造出一條本土供應(yīng)鏈體系。在市場(chǎng)層面，5G、汽車電子、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)及新興市場(chǎng)，給存儲(chǔ)芯片帶來旺盛需求，也對(duì)產(chǎn)品性能提出新要求，包括精進(jìn)工藝制程、提升產(chǎn)品可靠性、縮小封裝尺寸等，促使產(chǎn)品快速迭代。這也對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈提出新要求。倪黃忠表示，1.0時(shí)代，模組廠商只能做一些簡(jiǎn)單的加工測(cè)試，開發(fā)能力較弱，產(chǎn)品以Micro SD卡、U盤等為主；2.0時(shí)代，模組廠商成為產(chǎn)品和技術(shù)的跟隨者，在行業(yè)內(nèi)有一定知名度，但銷售依然難突破；步入3.0時(shí)代，模組廠商要從芯片硬件到軟件、固件的開發(fā)，延展到系統(tǒng)級(jí)開發(fā)以及整個(gè)設(shè)備自動(dòng)化產(chǎn)線進(jìn)行改造，有全面的技術(shù)開發(fā)能力。

    “雖然摩爾定律在半導(dǎo)體的很多領(lǐng)域受到了挑戰(zhàn)，但在閃存這個(gè)領(lǐng)域還在繼續(xù)發(fā)揮作用?！蔽鞑繑?shù)據(jù)副總裁兼中國區(qū)業(yè)務(wù)總經(jīng)理劉鋼介紹，摩爾定律作用下，閃存密度和性能迅速提高，資本效率也大幅增加。劉鋼分析，摩爾定律在閃存領(lǐng)域有三個(gè)維度可以發(fā)揮作用：一是線寬，在同一層中橫向提高密度；二是堆疊，在縱向上發(fā)展；三是在同一單元里通過改變邏輯單元的設(shè)定，從原來的SLC（Single-Level Cell，單層式存儲(chǔ)單元）到MLC（Multi-Level Cell，雙層式存儲(chǔ)單元）、TLC（Trinary-Level Cell，三層式存儲(chǔ)單元）、QLC（Quad-Level Cell，四層式存儲(chǔ)單元），在每個(gè)單元都可以增長(zhǎng)。雖然，當(dāng)前存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)主要由海外巨頭公司掌握，國產(chǎn)公司處于相對(duì)落后狀態(tài)，但國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片已在各個(gè)細(xì)分行業(yè)展開追趕，并獲得顯著進(jìn)展。“本土存儲(chǔ)廠商正奮起直追，企業(yè)之間形成了密切且相互依存的產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈，國產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)?！标惱诒硎尽?/span>



文章來源： 科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)，時(shí)代周報(bào)

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